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频率2133MHz,美光推出30nm高速DDR3 DRAM芯片

日前美光宣布,他们已经完成30nm工艺DDR3DRAM芯片的开发,首批产品容量为2Gb(256MB)和4Gb(512MB),原始频率达到1066MHz(数据频率为2133MHz)。这种DRAM芯片不仅是台式机内存和笔记本电脑内存的理想选择,即使用在SoC系统或者是入门级独显上也是非常合适的。频率2133MHz,美光推出30nm高速DDR3 DRAM芯片  第1张

频率2133MHz,美光推出30nm高速DDR3 DRAM芯片  第2张

美光称,在2012年以及往后的一段时间内,DDR3内存芯片都是主流的存在,即使DDR4内存登场,DDR3也不会马上离开市场。因此可以预见,这种高速型DDR3内存芯片在SoC或者是入门级独显领域将很受欢迎。而且得益于30nm制程工艺,新的内存芯片可运行在更低的电压下,功耗也得到了降低,对移动设备来说也是一个理想选择。

据称,目前美光的合作伙伴AMD和LSI都已经对这种30nm工艺的DDR3DRAM芯片表示浓厚的兴趣,有意引入到自己的新产品中,不过正式产品何时面世,目前就无法得知了。

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