尔必达推出30nm工艺最小尺寸2Gb DDR3内存

日本DRAM半导体芯片制造商尔必达最近宣告已研制出基于30nm工艺的2GbDDR3SDRAM芯片。

这款DDR3SDRAM采用30nm工艺制造，据称是世界尺寸最小2Gb容量SDRAM芯片。相比40nm制程工艺的同类产品，从同样的晶圆中所取得的芯片数量增加45%，大大降低生产成本，增强芯片产品的竞争力。

性能方面，该DDR3SDRAM支持1866MHz高频率和低压运作，在1.35V的低压下支持1600MHz的工作频率。与40nm工艺的同类产品相比，功耗减少15%，即使是在待机的情况下，功耗也减少10%。

据官方消息透露，这款SDRAM芯片将于12月实现量产。

更多相关信息，请浏览尔必达官方网站。