废电脑回收：四核手机会烧袋？Galaxy S3 vs HTC One X温度测试

香港媒体unwire.hk昨天放出了一篇关于目前旗舰四核手机的温度测试对比。

智能手机已经进入了四核时代，运行时会产生不少热量，加上不时有电池爆炸的传闻，让大多数把手机放在裤袋的男士们感觉压力山大。unwire.hk对最近新上市的SamsungGalaxyS3以及HTCOneX做了一次温度对比测试，看四核手机产生的热量足不足以烧掉裤袋。

在Quadrant的跑分测试，SamsungGalaxyS3以5221分领先于HTCOneX的4202分。

在室温24℃的环境下，两台手机的待机温度约为30度左右。

SamsungGalaxyS3待机温度29℃

HTCOneX待机温度30℃

在压力测试里面，两台手机均以满载运行5分钟再采集温度，测试结果SamsungGalaxyS3的温度明显低得多。

SamsungGalaxyS3的情况

SamsungGalaxyS3机身温度39℃左右

SamsungGalaxyS3摄像头附近温度30℃左右，没有明显发热

HTCOneX的情况

HTCOneX摄像头附近温度50℃左右，有烫手感

HTCOneX机身温度33℃左右

最后unwire.hk表示HTCOnex虽然测试到50度的高温，但其只能作为温茶之用，算是在安全范围之内。

我们对unwire.hk的测试进行一下点评，SamsungGalaxyS3和HTCOneX都是采用了聚碳酸酯（Polycarbonate，PC）材料，不过这种材料在宣传时被偷换了概念，炒作得有点夸张，简单说就是工程塑料，材料一致加上手机外壳颜色基本一致，用红外枪采集温度是一种可取的办法。

但问题出在这里，测试方没有搞清楚这两部手机的内部结构，三星GalaxyS3的布局不同于以往的手机，它把主要几颗芯片都放到接近手机话筒的一边，而HTCOneX的核心元件则放在摄像头附近。

图片引用自新浪微博@小马玩手机

图片引用自it168

所以，测试文章出现那么大的温度差距的主要原因不是由于GalaxyS3使用了32nm的Exynos4212处理器，HTC使用了40nm的Tegra3，而是因为温度采集点设置的问题。

虽然小编也认为32nm的工艺发热量要比40nm的低，但纠正一下测温点后再测试可能结果会更公正。