废电脑回收：三星开始量产10纳米128Gb TLC NAND闪存芯片

三星宣布开始量产10纳米的128GbTLCNAND闪存芯片。在去年11月时三星才开始生产10纳米的64GbTLCNAND闪存芯片，而现在已经翻倍了。

据Softpedia介绍，新的闪存芯片将会应用于128GB的存储卡，500GB或更高容量的SSD固态硬盘，PCI-E接口的SSD，还有其他方面。

三星表示新芯片使用了ToggleDDR2.0接口，传输速度可以达到400Mbps，而存储密度也是业界最高的。与20纳米的64GbTLC闪存相比，10纳米的128GbTLC闪存产品的生产力可以达到它的两倍。

2010年，三星首次大量生产了20纳米的64GbTLC闪存产品，随后搭载于去年推出的840系列SSD产品。