堆垛层错

正常堆垛顺序为ABCABC…，以Frank记号表之为△△△△…，若出现反常堆垛，则以▽表示。密堆积结构中堆垛层错有两种基本类型：(a)抽出型层错，相当于正常层序中抽去一层;(b)插入型层错，相当于在正常层序中插进一层。

抽出型层错

晶体中形成堆垛层错有多种原因。晶体生长中偶然事故引起的堆垛顺序的错误，晶体形变时原子面间非点阵平移矢量的滑移，空位在密排面聚集成盘而后崩塌和自填隙原子聚集成盘.全位错在密排面内分解而后扩张，都能形成堆垛层错。

插入型层错

具有层错的晶体存在特殊的衍射效应：使X射线粉末照相中一部分的衍射线显著变宽或产生位移。使单晶衍射图样中某些斑点伸长，在透射电子显微镜衍衬法的观察中，层错显示为由等厚干涉条纹组成的带，在高分辨率电子显微镜的结构象中，有时可以直接观察到层错面附近结构的变化。

产生层错的方式有：(1)滑移，如任一层(111)晶面滑移1/6〈112〉，移至其相邻(111)晶面相应的位置上。(2)密排面上空位盘塌陷或间隙原子在密排面间聚集成盘此时层错上下两侧原来的密排面相对位移1/3〈111〉，在层错周界形成柏格斯矢量为1/3〈111〉的位错环。位错环可进一步吸收(或放出)空位(或间隙原子)而发生攀移，使层错面积和位错环尺寸都发生变化。

空位盘(a)和间隙原子盘（b)形成层错

层错是一种晶格缺陷，它破坏了晶体的周期完整性并引起能量的升高。产生单位面积层错所需能量称为层错能γs(J/m)。层错能有使领先的b1和拖后的b2不全位错之间的距离ds减少的趋势。典型金属的层错能和相应的平衡距离见表。层错能越小的金属出现层错的几率越大。在不锈钢与a黄铜中，可看到大量层错，而在铝和镍中则根本不会出现。

面心立方a.在(111)面投影